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元件参数资料
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参数目录41163
> FDR842P MOSFET P-CH 12V 11A SSOT-8
型号:
FDR842P
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET P-CH 12V 11A SSOT-8
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
FDR842P PDF
标准包装
1
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
11A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
9 毫欧 @ 11A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
80nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
5350pF @ 6V
功率 - 最大
900mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SSOT,SuperSOT-8
供应商设备封装
8-SSOT
包装
标准包装
其它名称
FDR842PDKR
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